L'equipaggiu impurtanti per e tecniche di microanalisi includenu: microscopia ottica (OM), microscopia elettronica a scansione a doppia fascia (DB-FIB), microscopia elettronica a scansione (SEM) è microscopia elettronica a trasmissione (TEM).L'articulu d'oghje introduverà u principiu è l'applicazione di DB-FIB, cuncintratu nantu à a capacità di serviziu di a metrologia di a radio è a televisione DB-FIB è l'applicazione di DB-FIB à l'analisi di i semiconduttori.
Cosa hè DB-FIB
U microscopiu elettronicu à scanning dual-beam (DB-FIB) hè un strumentu chì integra u fasciu di ioni focalizati è u fasciu d'elettroni di scanning in un microscopiu, è hè dotatu di accessori cum'è sistema di iniezione di gas (GIS) è nanomanipulatore, in modu di ottene parechje funzioni. cum'è l'incisione, a deposizione di materiale, u micro è nano trasfurmazioni.
À mezu à elli, u fasciu di ioni focalizati (FIB) accelera u fasciu di ioni generatu da a fonte di ioni di metallu liquidu (Ga), poi si focalizeghja nantu à a superficia di a mostra per generà segnali elettronichi secundarii, è hè recullatu da u detector.O aduprate un forte fasciu di ioni di corrente per incisione a superficia di mostra per u processu micro è nano;Una cumminazione di sputtering fisicu è reazzioni di gas chimichi pò ancu esse aduprata per incisione o depositu di metalli è isolanti selettivamente.
Funzioni principali è applicazioni di DB-FIB
Funzioni principali: trasfurmazioni in sezione trasversale di punti fissi, preparazione di campioni TEM, incisione selettiva o rinfurzata, deposizione di materiale metallicu è deposizione di strati isolanti.
Campu d'applicazione: DB-FIB hè largamente utilizatu in materiali ceramichi, polimeri, materiali metallici, biologia, semiconductor, geologia è altri campi di ricerca è teste di prudutti cunnessi.In particulare, a capacità unica di preparazione di campioni di trasmissione di DB-FIB a rende insustituibile in a capacità di analisi di fallimentu di i semiconduttori.
Capacità di serviziu GRGTEST DB-FIB
U DB-FIB attualmente equipatu da u Laboratoriu di Test è Analisi di Shanghai IC hè a serie Helios G5 di Thermo Field, chì hè a serie Ga-FIB più avanzata in u mercatu.A serie pò ottene risoluzioni di scansione di l'imaghjini di u fasciu elettronicu sottu 1 nm, è hè più ottimizzata in quantu à u rendiment di u fasciu di ioni è l'automatizazione chè a generazione precedente di microscopia elettronica à dui fasci.U DB-FIB hè dotatu di nanomanipulatori, sistemi di iniezione di gas (GIS) è spettru energeticu EDX per risponde à una varietà di bisogni basi è avanzati di analisi di fallimentu di semiconductor.
Cum'è un strumentu putente per l'analisi di fallimentu di a pruprietà fisica di i semiconduttori, DB-FIB pò eseguisce a machinazione di sezione trasversale à puntu fissu cù precisione nanometrica.À u listessu tempu di u processu FIB, u fasciu d'elettroni di scanning cù una risoluzione nanometrica pò esse usatu per osservà a morfologia microscòpica di a sezione trasversale è analizà a cumpusizioni in tempu reale.Ottene a deposizione di diversi materiali metallici (tungstenu, platinu, etc.) è materiali non metallichi (carbonu, SiO2);Slices ultra-thin TEM pò ancu esse preparatu à un puntu fissu, chì ponu risponde à i requisiti di l'osservazione ultra-alta risoluzione à u livellu atomicu.
Continueremu à investisce in l'equipaggiu di microanalisi elettronicu avanzatu, migliurà continuamente è espansione e capacità relative à l'analisi di fallimentu di i semiconduttori, è furnisce à i clienti soluzioni di analisi di fallimentu dettagliate è complete.
Tempu di post: Apr-14-2024